Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 596–601
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51025.9643 (Mi phts5015) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si

А. И. Якимовab, В. В. Кириенкоa, А. А. Блошкинac, А. В. Двуреченскийac, Д. Е. Уткинac

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Национальный исследовательский Томский государственный университет
c Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (461 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51025.9643
Аннотация: Разработаны планарные плазмонные фотодетекторы Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложках кремний-на-изоляторе, сопряженные с регулярными массивами металлических нанодисков на их поверхности. Обнаружено, что введение адгезионных слоев, необходимых для формирования стабильных наноструктур из благородных металлов, ведет к подавлению поверхностного плазмонного резонанса. Выбор алюминиевых нанодисков, не требующих адгезионных слоев, позволяет повысить эффективность фотоприемников в 40 раз на длине волны 1.2 мкм и в 15 раз при $\lambda$ = 1.65 мкм.
Ключевые слова: локализованные поверхностные плазмоны, квантовые точки Ge/Si, фотоприемники.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-12-00070
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект 19-12-00070).
Поступила в редакцию: 02.03.2021
Исправленный вариант: 12.03.2021
Принята в печать: 12.03.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 8, Pages 654–659
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621070204
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 596–601; Semiconductors, 55:8 (2021), 654–659
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakKirBlo21}
\by А.~И.~Якимов, В.~В.~Кириенко, А.~А.~Блошкин, А.~В.~Двуреченский, Д.~Е.~Уткин
\paper Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 596--601
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5015}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51025.9643}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46488614}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 654--659
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621070204}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5015
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p596
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:75
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024