Зонная структура и процессы в электронной системе кристаллов (Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$)Te$_{3}$ (0 $<x<$ 2) по данным оптических исследований в инфракрасном диапазоне

Наблюдаемое в кристаллах Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$ (0 $<x<$ 2) $p$-типа уменьшение резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда $\omega_{p}$ при увеличении температуры лишь частично может быть объяснено увеличением поляризационного фона кристалла $\varepsilon_\infty$. Анализ экспериментальных данных позволяет утверждать, что температурное изменение $\omega_{p}$, наблюдающееся в интервале от 80 до 300 K, обусловлено также и уменьшением отношения концентрации свободных носителей заряда к их эффективной массе $p/m^{*}$. Это можно объяснить увеличением эффективной массы носителей с ростом температуры, а также процессом перераспределения дырок между неэквивалентными экстремумами валентной зоны, существование которого подтверждается закономерностями температурного изменения ширины оптической запрещенной зоны, наблюдающимися в спектрах отражения инфракрасного излучения.