Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 550–553
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51014.9651 (Mi phts5008) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии

Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, О. В. Феклисоваb, Е. Б. Якимовb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
PDF полного текста (294 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51014.9651
Аннотация: Исследована фотолюминесценция в кремнии, деформированном методом четырехточечного изгиба при температуре 600$^\circ$С. С обеих сторон деформированных образцов наблюдаются так называемые линии дислокационной люминесценции D1, D2, D3 и D4. Обнаружено, что для образцов с плотностью введенных дислокаций $\sim$ 10$^{7}$ см$^{-2}$ интенсивность люминесценции линий D3 и D4 одинаковая с обеих сторон образцов, а интенсивности линий D1 и D2 со стороны растяжения выше, чем со стороны сжатия. Поведение интенсивности линий D1 и D2 хорошо коррелирует с количеством следов за дислокациями. Обсуждаются возможные причины наблюдавшегося эффекта.
Ключевые слова: дислокационная люминесценция, кремний, метод четырехточечного изгиба.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-00355-21-00
Работа О.В. Феклисовой и Е.Б. Якимова частично выполнена в рамках государственного задания 075-00355-21-00.
Поступила в редакцию: 17.03.2021
Исправленный вариант: 25.03.2021
Принята в печать: 25.03.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 7, Pages 633–636
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621070174
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов, “Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 550–553; Semiconductors, 55:7 (2021), 633–636
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobKalFek21}
\by Н.~А.~Соболев, А.~Е.~Калядин, О.~В.~Феклисова, Е.~Б.~Якимов
\paper Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 550--553
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5008}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51014.9651}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46488607}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 633--636
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621070174}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5008
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p550
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024