Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 537–540
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51011.9649 (Mi phts5006) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние гамма-облучения на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd

А. С. Алекперовa, А. О. Дашдемировa, Т. Г. Нагиевb, С. Г. Джабаровab

a Азербайджанский государственный педагогический университет
b Азербайджанский государственный экономический университет
PDF полного текста (151 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51011.9649
Аннотация: Исследован эффект термопереключения слоистого монокристалла GeS : Nd в широком температурном интервале ($T$ = 80–350 K). Изучено влияние $\gamma$-облучения при разных дозах (30 и 100 крад) на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd. Установлено, что после $\gamma$-облучения в малых дозах, с образованием упорядоченной структуры, в кристалле GeS : Nd эффект термопереключения не обнаруживается. С увеличением дозы $\gamma$-облучения до 100 крад происходит деградация структуры, в результате кристалл теряет фоточувствительность, эффект термопереключения не обнаруживается.
Ключевые слова: монокристалл, $\gamma$ -облучение, термопереключение, фазовый переход, низкоомное состояние, наноструктура, редкоземельный элемент.
Поступила в редакцию: 17.03.2021
Исправленный вариант: 22.03.2021
Принята в печать: 22.03.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 6, Pages 574–577
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621070034
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Алекперов, А. О. Дашдемиров, Т. Г. Нагиев, С. Г. Джабаров, “Влияние гамма-облучения на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 537–540; Semiconductors, 55:6 (2021), 574–577
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleDasNag21}
\by А.~С.~Алекперов, А.~О.~Дашдемиров, Т.~Г.~Нагиев, С.~Г.~Джабаров
\paper Влияние гамма-облучения на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 537--540
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5006}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51011.9649}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46488605}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 574--577
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621070034}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5006
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p537
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024