Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страницы 689–692
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51141.9658 (Mi phts5002) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Подавление эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов

Р. П. Алексеевa, М. И. Черныхa, А. Н. Цоцоринa, И. В. Семейкинa, Г. В. Быкадороваb

a Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники", Воронеж, Россия
b Воронежский государственный университет
PDF полного текста (153 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51141.9658
Аннотация: Проведен анализ электропараметров нового поколения СВЧ LDMOS-транзисторов, разработанных АО “НИИЭТ”. Выявлено существенное подавление эффекта квазинасыщения переходной и выходной вольт-амперной характеристики по сравнению с приборами предыдущего поколения. Сравнение с прибором зарубежного производства показывает, что достигнутые результаты близки к мировому уровню.
Ключевые слова: мощные СВЧ транзисторы, LDMOS-технология, квазинасыщение вольт-амперной характеристики.
Поступила в редакцию: 05.04.2021
Исправленный вариант: 12.04.2021
Принята в печать: 12.04.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. П. Алексеев, М. И. Черных, А. Н. Цоцорин, И. В. Семейкин, Г. В. Быкадорова, “Подавление эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 689–692
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleCheTso21}
\by Р.~П.~Алексеев, М.~И.~Черных, А.~Н.~Цоцорин, И.~В.~Семейкин, Г.~В.~Быкадорова
\paper Подавление эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 689--692
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5002}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51141.9658}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46480623}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5002
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p689
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024