|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
А. А. Семаковаa, А. М. Смирновa, Н. Л. Баженовb, К. Д. Мынбаевb, А. А. Пивовароваb, А. В. Черняевbcd, С. С. Кижаевc, Н. Д. Стояновc a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c ООО "Микросенсор Технолоджи", г. Санкт-Петербург
d Военная академия связи им. С. М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Приведены результаты исследований оптических и структурных свойств эпитаксиальных слоев InAs, выращенных на подложке $n$-InAs, и спектральных и электрических свойств светоизлучающих гетероструктур с активным слоем из InAs и различным дизайном и химическим составом барьерных слоев. Исследования свойств гетероструктур проведены в диапазоне 4.2–300 K. Показано влияние степени легирования подложки и свойств интерфейсов в гетероструктурах на вид их спектров излучения и мощностные характеристики. Исследованы механизмы протекания тока через гетероструктуры, и показано преобладание диффузионной составляющей тока при температурах выше 200 K и присутствие туннельной составляющей при более низких температурах.
Ключевые слова:
InAs, гетероструктуры, люминесценция, рекомбинация.
Поступила в редакцию: 09.04.2021 Исправленный вариант: 15.04.2021 Принята в печать: 15.04.2021
Образец цитирования:
А. А. Семакова, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Пивоварова, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 682–687
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5001 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p682
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 16 |
|