Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страницы 669–672
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51134.9599 (Mi phts4999) 		 
Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$

И. В. Боднарьa, А. А. Фещенкоa, В. В. Хорошкоa, В. Н. Павловскийb, И. Е. Свитенковb, Г. П. Яблонскийa

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
b Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
PDF полного текста (320 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51134.9599
Аннотация: Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn$_{8}$S$_{12.5}$. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав полученных монокристаллов, методом рентгеновской дифракции – кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 K определена ширина запрещенной зоны, которая с понижением температуры возрастает.
Ключевые слова: метод Бриджмена, монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
Финансовая поддержка Номер гранта
Государственная научная программа Республики Беларусь
Работа выполнена в рамках ГПНИ “Материаловедение, новые материалы и технологии” подпрограмма “Физика конденсированного состояния и создание новых функциональных материалов и технологий их получения”.
Поступила в редакцию: 11.01.2021
Исправленный вариант: 02.04.2021
Принята в печать: 16.04.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, В. Н. Павловский, И. Е. Свитенков, Г. П. Яблонский, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 669–672
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonFesKho21}
\by И.~В.~Боднарь, А.~А.~Фещенко, В.~В.~Хорошко, В.~Н.~Павловский, И.~Е.~Свитенков, Г.~П.~Яблонский
\paper Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 669--672
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4999}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51134.9599}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46480620}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4999
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p669
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024