Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страницы 654–658
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51131.07
(Mi phts4996)
 

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом

А. А. Ежевскийa, Д. В. Гусейновa, А. В. Сухоруковa, Е. А. Калининаa, А. В. Новиковb, Д. В. Юрасовb, Н. С. Гусевb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Легирование кремния висмутом приводит к дополнительному спиновому рассеянию электрона проводимости на спин-орбитальном потенциале, вносимом тяжелым донором. В работе обсуждаются вопросы, связанные с рассеянием спинов с переворотом и их влияние на процессы генерации спиновых токов в кремнии с электронным типом проводимости. На основе теории спиновой накачки и диффузионной модели рассчитаны величины спиновых токов и напряжения инверсного спинового эффекта Холла при варьировании типа донора и его концентрации и длин спиновой диффузии. Расчеты позволили найти зависимости величин эффектов от параметров слоев кремния, легированных висмутом, и объяснить отсутствие сигналов инверсного спинового эффекта Холла при легировании слоя кремния только фосфором или сурьмой с концентрацией $N_{d}>$ 10$^{19}$ см$^{-3}$.
Ключевые слова: спиновые токи, спиновая релаксация, кремний, мелкие доноры, структуры ферромагнетик-кремний, ферромагнитный резонанс, спин-орбитальное взаимодействие, спиновая диффузия.
Поступила в редакцию: 09.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. С. Гусев, “Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 654–658
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EzhGusSou21}
\by А.~А.~Ежевский, Д.~В.~Гусейнов, А.~В.~Сухоруков, Е.~А.~Калинина, А.~В.~Новиков, Д.~В.~Юрасов, Н.~С.~Гусев
\paper Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 654--658
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4996}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51131.07}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46480617}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4996
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p654
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024