Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страницы 649–653
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51130.06
(Mi phts4995)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Усиление терагерцовых электромагнитных волн в структуре с двумя слоями графена при протекании постоянного электрического тока: гидродинамическое приближение

И. М. Моисеенкоa, В. В. Поповa, Д. В. Фатеевab

a Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
Аннотация: Теоретически исследовано усиление терагерцового электромагнитного излучения в структуре с двумя слоями графена, по которым протекает постоянный электрический ток. Исследована гидродинамическая проводимость графена. Показано, что действительная часть проводимости графена может стать отрицательной в терагерцовом диапазоне частот при скоростях дрейфа носителей заряда в графене, меньших, чем фазовая скорость электромагнитной волны. Для малых волновых векторов падающей терагерцовой электромагнитной волны пространственная дисперсия вносит незначительный вклад в гидродинамическую проводимость графена, из-за чего эффективность усиления волны не зависит он направления токов в каждом из слоев графена. Показано, что графен при протекании постоянного электрического тока может быть использован для создания ТГц-усилителей, работающих при комнатной температуре.
Ключевые слова: графен, усиление терагерцового излучения, графен с постоянным током.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа финансирована стипендией Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, осуществляющим перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики.
Поступила в редакцию: 09.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Pages s30–s34
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621080133
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. М. Моисеенко, В. В. Попов, Д. В. Фатеев, “Усиление терагерцовых электромагнитных волн в структуре с двумя слоями графена при протекании постоянного электрического тока: гидродинамическое приближение”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 649–653; Semiconductors, 55 (2021), s30–s34
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MoiPopFat21}
\by И.~М.~Моисеенко, В.~В.~Попов, Д.~В.~Фатеев
\paper Усиление терагерцовых электромагнитных волн в структуре с двумя слоями графена при протекании постоянного электрического тока: гидродинамическое приближение
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 649--653
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4995}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51130.06}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46480616}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\pages s30--s34
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621080133}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4995
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p649
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024