Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страницы 637–643
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51128.04 (Mi phts4993) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом

Ю. А. Даниловa, А. В. Алафердовab, О. В. Вихроваa, Д. А. Здоровейщевa, В. А. Ковальскийc, Р. Н. Крюковa, Ю. М. Кузнецовa, В. П. Лесниковa, А. В. Неждановa, М. Н. Дроздовd

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Center for Semiconductor Components and Nanotechnologies, University of Campinas, 13083-870 Campinas, SP, Brazil
c Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (284 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51128.04
Аннотация: Исследованы возможности легирования углеродных слоев, выращиваемых методом импульсного лазерного нанесения, примесями переходных металлов. Изучены состав, оптические и электрические параметры структур на подложках GaAs и Si/SiO$_{2}$. Показано, что введение таких атомов, как Fe, модифицирует магнитные свойства слоев, вызывая нелинейные магнитополевые зависимости эффекта Холла при температурах вплоть до 300 K.
Ключевые слова: импульсное лазерное нанесение, углеродные слои, легирование, примеси переходных металлов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-19137_мк
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-03-2020-191/5
Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант 18-29-19137_мк) и Министерством науки и высшего образования Российской Федерации (государственное задание, проект \No~075-03-2020-191/5).
Поступила в редакцию: 09.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 8, Pages 660–666
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621080054
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Данилов, А. В. Алафердов, О. В. Вихрова, Д. А. Здоровейщев, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, Ю. М. Кузнецов, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, М. Н. Дроздов, “Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 637–643; Semiconductors, 55:8 (2021), 660–666
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DanAlaVik21}
\by Ю.~А.~Данилов, А.~В.~Алафердов, О.~В.~Вихрова, Д.~А.~Здоровейщев, В.~А.~Ковальский, Р.~Н.~Крюков, Ю.~М.~Кузнецов, В.~П.~Лесников, А.~В.~Нежданов, М.~Н.~Дроздов
\paper Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 637--643
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4993}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51128.04}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46480614}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 660--666
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621080054}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4993
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p637
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024