Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 807–812
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51298.28
(Mi phts4986)
 

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Междолинные процессы релаксации состояний мелких доноров в германии

В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Проведен анализ роли междолинных процессов электрон-фононного взаимодействия в релаксации возбужденных мелких доноров мышьяка в германии. Вычислены темпы внутрицентровых междолинных переходов при излучении TA фононов в германии в зависимости от одноосной деформации сжатия в кристаллографическом направлении $\{111\}$. Показано, что междолинные переходы с излучением фононов в основное состояние донора могут играть существенную роль в релаксации возбужденных примесей лишь при одноосной деформации кристалла, так как при нулевой деформации нет точных резонансов примесных переходов с энергией междолинных фононов. Также имеют место переходы из высоковозбужденных состояний, лежащих в узком пояске энергий ($\sim$ 0.5 мэВ) у самого дна зоны проводимости в первое возбужденное состояние 1$s^{(3)}$($\Gamma_5$) (в деформированном Ge в 1$s^{(3)}$($\Gamma_3$)), средний темп которых оценивается в 0.3$\cdot$10$^{9}$ с$^{-1}$.
Ключевые слова: германий, мелкие доноры, электрон-фононное взаимодействие, междолинные переходы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20163
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (соглашение № 19-72-20163).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 10, Pages 799–803
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090232
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Междолинные процессы релаксации состояний мелких доноров в германии”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 807–812; Semiconductors, 55:10 (2021), 799–803
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsySha21}
\by В.~В.~Цыпленков, В.~Н.~Шастин
\paper Междолинные процессы релаксации состояний мелких доноров в германии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 807--812
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4986}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51298.28}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491088}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 799--803
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090232}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4986
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p807
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024