|
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.
Образование оксидного поверхностного слоя и его влияние на рост эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов кремния
В. А. Небольсин, Н. А. Свайкат, А. Ю. Воробьев, Т. А. Перепечина, Л. В. Ожогина Воронежский государственный технический университет
Аннотация:
Установлено, что при выращивании нитевидных нанокристаллов Si в потоке Н$_{2}$, не подвергшемся дополнительной очистке от остатков О$_{2}$ и паров воды, на поверхности кристаллов и на ростовой подложке образуются слои SiO$_{2}$. Из-за присутствия оксидного поверхностного слоя рост нитевидных нанокристаллов Si заторможен, кристаллы характеризуются сильной морфологической неустойчивостью. Определены термодинамические условия образования поверхностного оксидного слоя и его влияния на рост нитевидных нанокристаллов Si. При температурах синтеза 750–1400 K нитевидные кристаллы Si термодинамически неустойчивы в газовой фазе, содержащей любые ощутимо малые концентрации O$_{2}$, и при благоприятных кинетических условиях Si должен всецело превращаться в оксид. Термическая диссоциация и водородное восстановление SiO$_{2}$ в условиях роста кристаллов Si практически неосуществимы.
Ключевые слова:
нитевидные нанокристаллы, кремний, рост, оксидный слой.
Поступила в редакцию: 12.04.2021 Исправленный вариант: 19.04.2021 Принята в печать: 19.04.2021
Образец цитирования:
В. А. Небольсин, Н. А. Свайкат, А. Ю. Воробьев, Т. А. Перепечина, Л. В. Ожогина, “Образование оксидного поверхностного слоя и его влияние на рост эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 798–806; Semiconductors, 55:10 (2021), 771–779
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4985 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p798
|
|