Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 789–797
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51296.26
(Mi phts4984)
 

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Квантовый транспорт в полупроводниковом нанослое с учетом поверхностного рассеяния носителей заряда

И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, Д. Н. Романов

Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
Аннотация: Решена задача об электропроводности тонкого проводящего нанослоя с учетом квантовой теории процессов переноса. Толщина слоя может быть сравнима и меньше длины волны де Бройля носителей заряда. Поверхность постоянной энергии имеет вид эллипсоида вращения, главная ось которого параллельна плоскости слоя. Получены аналитические выражения для компонент тензора проводимости, как функции безразмерных толщины, химического потенциала, параметра эллиптичности и параметров шероховатости поверхностей. Выполнен анализ проводимости в предельных случаях вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведено сравнение полученных результатов с известными экспериментальными данными для слоя кремния.
Ключевые слова: тонкий слой, уравнение Лиувилля, модель Соффера, электропроводность, изоэнергетическая поверхность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-32-90008
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 19-32-90008.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 9, Pages 755–763
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, Д. Н. Романов, “Квантовый транспорт в полупроводниковом нанослое с учетом поверхностного рассеяния носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 789–797; Semiconductors, 55:9 (2021), 755–763
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzSavRom21}
\by И.~А.~Кузнецова, О.~В.~Савенко, Д.~Н.~Романов
\paper Квантовый транспорт в полупроводниковом нанослое с учетом поверхностного рассеяния носителей заряда
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 789--797
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4984}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51296.26}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491086}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 755--763
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090116}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4984
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p789
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:88
    PDF полного текста:49
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024