Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 779–784
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51294.24 (Mi phts4982) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Влияние электрического поля на движущийся экситон в GaAs

Д. К. Логинов, П. А. Белов, И. Я. Герловин, И. В. Игнатьев

Лаборатория Оптики спина имени И.Н. Уральцева, Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (383 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51294.24
Аннотация: Выполнено моделирование интерференции поляритонных волн в широкой квантовой яме в присутствии внешнего однородного электрического поля. Показано, что в зависимости от значений приложенного поля эта интерференция изменяется с конструктивной на деструктивную. Этот процесс описывается линейным по волновому вектору членом в экситонном гамильтониане.
Ключевые слова: экситон, электрическое поле, квантовая яма, светоэкситонное взаимодействие.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20039
Работа поддержана Российским научным фондом, грант № 19-72-20039.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. К. Логинов, П. А. Белов, И. Я. Герловин, И. В. Игнатьев, “Влияние электрического поля на движущийся экситон в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 779–784
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LogBelGer21}
\by Д.~К.~Логинов, П.~А.~Белов, И.~Я.~Герловин, И.~В.~Игнатьев
\paper Влияние электрического поля на движущийся экситон в GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 779--784
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4982}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51294.24}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491084}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4982
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p779
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024