Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 773–778
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51293.23 (Mi phts4981) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме

Ю. М. Кузнецовab, М. В. Дорохинb, А. В. Неждановa, Д. А. Здоровейщевab, В. П. Лесниковb, А. И. Машинa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (420 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51293.23
Аннотация: Рассмотрен новый способ формирования фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ на кремниевых и сапфировых подложках методом импульсного лазерного осаждения в вакууме. Была подготовлена серия структур с вариацией концентрации железа в распыляемой мишени. Выполнен анализ фазового состава пленок из идентификации пиков в спектрах комбинационного рассеяния света. Проведено исследование магнитных свойств образцов путем регистрации магнитополевой зависимости сопротивления Холла. Показано формирование дополнительных магнитных фаз Fe$_{3}$Si и FeSi при условиях роста, обеспечивающих повышенное вхождение атомов Fe в формируемый слой. Проведен анализ фазового состава пленок, сформированных на кремниевых и сапфировых подложках при одинаковых технологических параметрах роста.
Ключевые слова: полупроводник, $\beta$-FeSi$_2$, импульсное лазерное осаждение, комбинационное рассеяние света, эффект Холла.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-38-70063
20-32-90032
Работа поддержана грантами РФФИ (20-38-70063, 20-32-90032).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 9, Pages 749–754
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090104
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. М. Кузнецов, М. В. Дорохин, А. В. Нежданов, Д. А. Здоровейщев, В. П. Лесников, А. И. Машин, “Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 773–778; Semiconductors, 55:9 (2021), 749–754
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzDorNez21}
\by Ю.~М.~Кузнецов, М.~В.~Дорохин, А.~В.~Нежданов, Д.~А.~Здоровейщев, В.~П.~Лесников, А.~И.~Машин
\paper Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 773--778
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4981}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51293.23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491083}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 749--754
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090104}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4981
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p773
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024