Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 743–747
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51288.17 (Mi phts4976) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов

А. С. Пузановab, В. В. Бибиковаab, И. Ю. Забавичевab, Е. С. Оболенскаяa, А. А. Потехинb, Е. А. Тарасоваa, Н. В. Востоковc, В. А. Козловc, С. В. Оболенскийab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ "НИИИС им. Ю.Е. Седакова", 603950 Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (144 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51288.17
Аннотация: Проведен теоретический анализ деградации вольт-амперной характеристики и переходных ионизационных процессов, протекающих в низкобарьерном неохлаждаемом GaAs-диоде Мотта при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и имитирующих их импульсов лазерного излучения. Реакция диода на воздействие ионов мышьяка с энергией 200 МэВ, соответствующей линейной передаче энергии 26 МэВ $\cdot$ см$^{2}$/мг, сопоставляется с откликом на воздействие фемтосекундных импульсов оптического излучения длительностью 10 фс с длинами волн 870 и 670 нм.
Ключевые слова: диод Мотта, тяжелые заряженные частицы, фемтосекундный лазерный импульс.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0729-2020-0057
Работа выполнена в рамках базовой части государственного задания, проект 0729-2020-0057.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 10, Pages 780–784
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090177
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747; Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PuzBibZab21}
\by А.~С.~Пузанов, В.~В.~Бибикова, И.~Ю.~Забавичев, Е.~С.~Оболенская, А.~А.~Потехин, Е.~А.~Тарасова, Н.~В.~Востоков, В.~А.~Козлов, С.~В.~Оболенский
\paper Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 743--747
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4976}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51288.17}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491078}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 780--784
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090177}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4976
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p743
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024