Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 713–718
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51282.09
(Mi phts4970)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Излучательные свойства ап-конверсионных покрытий, формируемых на основе ксерогелей титаната бария, легированных эрбием

Н. В. Гапоненкоa, Ю. Д. Корниловаa, Е. И. Лашковскаяa, В. Д. Живулькоb, А. В. Мудрыйb, Ю. В. Радюшb, Б. А. Андреевc, М. В. Степиховаc, А. Н. Яблонскийc, С. А. Гусевc, R. Subasrid, D. S. Reddyd

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Centre for Sol-Gel Coatings, International Advanced Research Centre for Powder Metallurgy and New Materials, 500005 Hyderabad, India
Аннотация: Исследована стоксова и антистоксова люминесценция эрбия в ксерогелях титаната бария (BaTiO$_{3}$ : Er), полученных золь-гель методом, и в многослойных покрытиях BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированных на кремниевых подложках. Показано, что ап-конверсия эрбия в ксерогелях титаната бария, сформированных с использованием нитрата или ацетата эрбия, наблюдается при концентрации эрбия $>$ 3 ат.%. Ап-конверсия эрбия наблюдается на длине волны возбуждения $\sim$ 980 нм и характеризуется интенсивной полосой в области 520–560 нм, соответствующей излучательным переходам иона эрбия $^{2}H_{11/2}\to{}^4I_{15/2}$ и $^{4}S_{3/2}\to{}^4I_{15/2}$, а также полосами в области 650 и 850 нм, связанными с переходами $^{4}F_{9/2}\to{}^4I_{15/2}$ и $^{4}I_{9/2}\to{}^4I_{15/2}$. На основе полученных ксерогелей BaTiO$_{3}$ : Er на кремниевых подложках сформированы многослойные структуры BaTiO$_{3}$ : Er/SiO$_{2}$/Si, обеспечивающие значительное, по сравнению с однослойными структурами BaTiO$_{3}$ : Er/Si, усиление интенсивности люминесценции эрбия на длине волны основного излучательного перехода (1540 нм). Обсуждаются перспективы разработки ап-конверсионных покрытий на основе титаната бария, легированного эрбием, для практических применений.
Ключевые слова: титанат бария, эрбий, ап-конверсия, люминесценция, золь-гель метод, многослойные структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-52-00039 Бел_а
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Х20Р-388
Department of Science and Technology, India INT/BLR/P-18/2016
Работа выполнена при поддержке совместного гранта РФФИ и БРФФИ (РФФИ 20-52-00039 Бел_а, БРФФИ Х20Р-388) и гранта Department of Science and Technology, India (INT/BLR/P-18/2016) с использованием оборудования Центра коллективного пользования “Физика и технология микро- и наноструктур” ИФМ РАН.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 9, Pages 735–740
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090062
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Гапоненко, Ю. Д. Корнилова, Е. И. Лашковская, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, Ю. В. Радюш, Б. А. Андреев, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, R. Subasri, D. S. Reddy, “Излучательные свойства ап-конверсионных покрытий, формируемых на основе ксерогелей титаната бария, легированных эрбием”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 713–718; Semiconductors, 55:9 (2021), 735–740
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GapKorLas21}
\by Н.~В.~Гапоненко, Ю.~Д.~Корнилова, Е.~И.~Лашковская, В.~Д.~Живулько, А.~В.~Мудрый, Ю.~В.~Радюш, Б.~А.~Андреев, М.~В.~Степихова, А.~Н.~Яблонский, С.~А.~Гусев, R.~Subasri, D.~S.~Reddy
\paper Излучательные свойства ап-конверсионных покрытий, формируемых на основе ксерогелей титаната бария, легированных эрбием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 713--718
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4970}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51282.09}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491072}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 735--740
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090062}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4970
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p713
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024