Проявления процессов резонансного туннелирования и случайных флуктуаций потенциала с участием уровней квантовых точек в релаксации фототока $p$–$i$–$n$ GaAs/AlAs-гетероструктур

В результате изучения релаксации фототока в $p$–$i$–$n$ GaAs/AlAs-гетероструктурах нами обнаружены резкие особенности, вызванные резонансным туннелированием через электронные уровни квантовых точек в барьерных слоях. Показано, что временные интервалы проявления этих резонансов на релаксационных кривых определяются динамикой накопления заряда на дырочных уровнях квантовых точек и рекомбинацией с их участием. Также обнаружены сильные случайные флуктуации фототока в пострезонансной области, обусловленные локальными флуктуациями остаточного заряда на дырочных уровнях квантовых точек. Изучение релаксации в средне- и длинноволновом световом диапазонах подтверждает нашу интерпретацию обнаруженных эффектов.