Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 916–921
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51444.48 (Mi phts4963) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором

Т. А. Шоболоваa, А. С. Мокеевa, С. Д. Рудаковa, С. В. Оболенскийab, Е. Л. Шоболовa

a Филиал ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (608 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51444.48
Аннотация: Проведено сравнение характеристик двух вариантов конструктивно-технологического исполнения кремниевого МОП-КНИ транзистора с контактом к подложке, совмещенным с истоком, с одним и двумя слоями поликремниевого затвора. По результатам численного моделирования показано, что транзисторы с двухслойным поликремниевым затвором имеют повышенную надежность, быстродействие и стойкость к ионизирующему излучению. Предложена самосовмещенная технология изготовления транзистора с зависимым контактом к карману и с двухслойным поликремниевым затвором, позволяющая реализовать транзисторы с большим отношением ширины к длине затвора (до 100 и более). Описанные конструктивно-технологические особенности изготовления транзистора дают возможность дополнительного управления каналом транзистора, улучшают его характеристики и расширяют область применения.
Ключевые слова: МОП-транзистор, КНИ, двухслойный поликремний, зависимый контакт к карману, “широкий” транзистор.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 885–890
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. А. Шоболова, А. С. Мокеев, С. Д. Рудаков, С. В. Оболенский, Е. Л. Шоболов, “Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 916–921; Semiconductors, 55:12 (2021), 885–890
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShoMokRud21}
\by Т.~А.~Шоболова, А.~С.~Мокеев, С.~Д.~Рудаков, С.~В.~Оболенский, Е.~Л.~Шоболов
\paper Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 916--921
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4963}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51444.48}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486069}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 885--890
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4963
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p916
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:45
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024