|
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.
Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярных AlN(10$\bar1$1) и AlN(10$\bar1$2) слоев при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов $<$ 100 нм (подложка-NP-Si(100)). Показано, что на начальной стадии эпитаксии на подложке-NP-Si(100) происходит формирование зародышевых кристаллов AlN, а затем в зависимости от кристаллографической ориентации V-стенок формируются кристаллы, ограненные плоскостями AlN(10$\bar1$1) на Si(111) или AlN(10$\bar1$2) на Si(111), разориентированном в направлении [110] на 7$^\circ$.
Ключевые слова:
полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния.
Поступила в редакцию: 12.04.2021 Исправленный вариант: 19.04.2021 Принята в печать: 19.04.2021
Образец цитирования:
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, “Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 908–911; Semiconductors, 55:10 (2021), 812–815
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4961 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p908
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 10 |
|