Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 901–907
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51441.40
(Mi phts4960)
 

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ

А. А. Ревинab, А. М. Михайловаab, А. А. Конаковab, В. В. Цыпленковb, В. Н. Шастинb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: В рамках приближения огибающей функции рассчитаны волновые функции электронов, локализованных на мелких донорах P, As, Sb в Ge при учете долинно-орбитального взаимодействия, обусловленного короткодействующим потенциалом донора. Предложен подход, позволяющий включить междолинное смешивание в уравнение для многокомпонентной огибающей. Расчет эффектов долинно-орбитального взаимодействия проводился по теории возмущений, тогда как “затравочные” однодолинные функции находились с применением вариационного метода Ритца. Параметры короткодействующей части потенциала и коэффициент междолинного смешивания подбирались индивидуально для каждого донора, позволяя получать наилучшее согласие с результатами экспериментального измерения энергий синглетного и триплетного состояний. Вычислены огибающие волновых функций состояний 1$s(A_1)$ и 1$(T_2)$. Найдены параметры долинно-орбитального взаимодействия для каждого донора. Также показано, как должны модифицироваться функции возбужденных состояний 2$s$, 2$p_{0}$, 2$p_\pm$, 3$p_{0}$, чтобы оставаться ортогональными функциям синглета и триплета в рамках более строгой многодолинной модели.
Ключевые слова: германий, мелкие доноры, долинно-орбитальное взаимодействие, приближение огибающей функции.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20163
Работа поддержана грантом РНФ 19-72-20163.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 879–884
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100201
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 901–907; Semiconductors, 55:12 (2021), 879–884
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RevMikKon21}
\by А.~А.~Ревин, А.~М.~Михайлова, А.~А.~Конаков, В.~В.~Цыпленков, В.~Н.~Шастин
\paper Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 901--907
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4960}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51441.40}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486066}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 879--884
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100201}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4960
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p901
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:72
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024