Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 869–871
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51435.34 (Mi phts4954) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона

А. А. Дубиновab, В. Я. Алешкинab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (226 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51435.34
Аннотация: Проведен расчет характеристик двумерного плазмона, усиливаемого активной средой на основе терагерцовой квантово-каскадной структуры. Показано, что для реалистичных параметров структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (подвижность 2 $\cdot$ 10$^{5}$ см$^{2}\cdot$ В$^{-1}\cdot$ с$^{-1}$ при концентрации электронов 5 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ и при температуре до 77 K) коэффициент усиления двумерного плазмона может достигать 1500 см$^{-1}$ на частоте 2.3 ТГц. Из-за сильной локализации электрического поля плазмона около квантовой ямы для усиления необходимо лишь несколько каскадов активной среды.
Ключевые слова: плазмон, квантово-каскадный лазер, терагерцовый диапазон частот, квантовая яма.
Финансовая поддержка Номер гранта
Фонд развития теоретической физики и математики БАЗИС 19-1-2-12-1
Министерство образования и науки Российской Федерации 0030-2021-0019
Работа выполнена при поддержке Фонда развития теоретической физики и математики “Базис” (№ 19-1-2-12-1) и Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (№ 0030-2021-0019).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 11, Pages 828–830
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100092
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, “Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 869–871; Semiconductors, 55:11 (2021), 828–830
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DubAle21}
\by А.~А.~Дубинов, В.~Я.~Алешкин
\paper Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 869--871
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4954}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51435.34}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486060}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 828--830
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100092}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4954
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p869
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024