Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 861–868
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51434.33 (Mi phts4953) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe

М. С. Жолудевab, В. В. Румянцевab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (1185 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51434.33
Аннотация: Проведены расчеты энергий локализованных и резонансных состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe в зависимости от температуры. Предложен универсальный метод вычисления энергий локализованных и резонансных примесных состояний. Теоретически доказано, что эти энергии практически не изменяются в диапазоне температур от 0 до 100 K. Расчеты проведены в приближении сферической симметрии с помощью метода матрицы рассеяния в рамках трехзонной модели Кейна, учитывающей зону проводимости и две верхние валентные зоны.
Ключевые слова: примесь, резонансные состояния, кадмий-ртуть-теллур, матрица рассеяния.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-00128
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-1430.2020.2
Разработка программного обеспечения для расчета температурной зависимости волновых функций и энергий примесных состояний выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант № 19-72-00128). Анализ результатов расчета волновых функций с определением энергий примесных состояний выполнен при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (проект МК-1430.2020.2).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 907–913
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100286
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 861–868; Semiconductors, 55:12 (2021), 907–913
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhoRumMor21}
\by М.~С.~Жолудев, В.~В.~Румянцев, С.~В.~Морозов
\paper Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 861--868
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4953}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51434.33}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486059}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 907--913
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100286}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4953
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p861
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024