Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 850–854
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51432.29 (Mi phts4951) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Особенности затухания и усиления терагерцовых плазмонных мод в графене с учетом пространственной дисперсии

О. В. Полищук, Д. В. Фатеев, В. В. Попов

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (260 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51432.29
Аннотация: Рассматривается влияние дрейфа носителей заряда на моды плазмонных возбуждений (плазмонов) в электронной дираковской жидкости в графене со смещенным уровнем Ферми. Дисперсионные соотношения для плазмонов получены с использованием электродинамического подхода и гидродинамического описания электронной жидкости. Численно изучены затухающие и усиливающиеся плазмонные моды в зависимости от соотношения величин и направлений постоянного электрического тока и фазовой скорости плазмона.
Ключевые слова: терагерцовый диапазон, плазмон, графен, дрейф носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена в рамках государственного задания.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 875–878
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100195
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Полищук, Д. В. Фатеев, В. В. Попов, “Особенности затухания и усиления терагерцовых плазмонных мод в графене с учетом пространственной дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 850–854; Semiconductors, 55:12 (2021), 875–878
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PolFatPop21}
\by О.~В.~Полищук, Д.~В.~Фатеев, В.~В.~Попов
\paper Особенности затухания и усиления терагерцовых плазмонных мод в графене с учетом пространственной дисперсии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 850--854
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4951}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51432.29}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486057}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 875--878
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100195}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4951
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p850
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024