Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 841–845
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51430.16
(Mi phts4949)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Поперечный эффект Нернста–Эттинсгаузена в двумерном электронном газе двоякопериодической полупроводниковой сверхрешетки

А. А. Перов, П. В. Пикунов

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: В одноэлектронном приближении во внешнем магнитном поле при наличии градиента температуры рассчитана поверхностная плотность тока носителей заряда в двумерных двоякопериодических полупроводниковых сверхрешетках $n$-типа проводимости. Магнитное поле полагалось постоянным, однородным, приложенным перпендикулярно плоскости электронного газа. В результате совместного решения уравнения Шредингера и кинетического уравнения Больцмана показано, что зависимости поверхностной плотности поперечного тока от температуры и модуля градиента температуры имеют существенно нелинейный характер, присутствуют участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Зависимость времени релаксации от квазиимпульса электрона учтена в модели феноменологически через закон дисперсии носителей в магнитных подзонах.
Ключевые слова: термомагнитные эффекты, магнитные блоховские состояния, сверхрешетки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0729-2020-0058
Работа поддержана Министерством науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания № 0729-2020-0058.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 11, Pages 869–873
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100183
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Перов, П. В. Пикунов, “Поперечный эффект Нернста–Эттинсгаузена в двумерном электронном газе двоякопериодической полупроводниковой сверхрешетки”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 841–845; Semiconductors, 55:11 (2021), 869–873
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PerPik21}
\by А.~А.~Перов, П.~В.~Пикунов
\paper Поперечный эффект Нернста--Эттинсгаузена в двумерном электронном газе двоякопериодической полупроводниковой сверхрешетки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 841--845
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4949}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51430.16}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486055}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 869--873
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100183}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4949
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p841
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024