|
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.
Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Изучена зависимость скорости плазмохимического травления и шероховатости поверхности кратера арсенида галлия от концентрации хлорпентафторэтана (C$_{2}$F$_{5}$Cl) в смеси с хлором, мощности емкостного разряда и продолжительности процесса. Характеристики кратера травления GaAs исследованы методами интерферометрии белого света и сканирующей электронной микроскопии. Показано, что добавка C$_{2}$F$_{5}$Cl в составе хлорсодержащей индуктивно-связанной плазмы приводит к нелинейному изменению скорости травления арсенида галлия со временем, что можно объяснить пассивацией поверхности подложки на начальном этапе продуктами распада фреона. Наряду с этим существенно улучшаются характеристики профиля травления GaAs. Повышение мощности емкостного разряда способствует развитию шероховатости, при этом скорость травления возрастает нелинейно.
Ключевые слова:
хлорпентафторэтан, плазмохимическое травление, индуктивно-связанная плазма, арсенид галлия.
Поступила в редакцию: 12.04.2021 Исправленный вариант: 19.04.2021 Принята в печать: 19.04.2021
Образец цитирования:
А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, “Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 837–840; Semiconductors, 55:11 (2021), 865–868
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4948 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p837
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 23 |
|