Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 837–840
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51429.15
(Mi phts4948)
 

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия

А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Изучена зависимость скорости плазмохимического травления и шероховатости поверхности кратера арсенида галлия от концентрации хлорпентафторэтана (C$_{2}$F$_{5}$Cl) в смеси с хлором, мощности емкостного разряда и продолжительности процесса. Характеристики кратера травления GaAs исследованы методами интерферометрии белого света и сканирующей электронной микроскопии. Показано, что добавка C$_{2}$F$_{5}$Cl в составе хлорсодержащей индуктивно-связанной плазмы приводит к нелинейному изменению скорости травления арсенида галлия со временем, что можно объяснить пассивацией поверхности подложки на начальном этапе продуктами распада фреона. Наряду с этим существенно улучшаются характеристики профиля травления GaAs. Повышение мощности емкостного разряда способствует развитию шероховатости, при этом скорость травления возрастает нелинейно.
Ключевые слова: хлорпентафторэтан, плазмохимическое травление, индуктивно-связанная плазма, арсенид галлия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации СП-2056.2021.3
Работа поддержана стипендией Президента РФ для молодых ученых и аспирантов СП-2056.2021.3. Плазмохимическое травление и анализ полученного профиля арсенида галлия выполнены на оборудовании ЦКП ИФМ РАН ``Физика и технология микро- и наноструктур''.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 11, Pages 865–868
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100171
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, “Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 837–840; Semiconductors, 55:11 (2021), 865–868
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OkhKraArk21}
\by А.~И.~Охапкин, С.~А.~Краев, Е.~А.~Архипова, В.~М.~Данильцев, О.~И.~Хрыкин, П.~А.~Юнин, М.~Н.~Дроздов
\paper Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 837--840
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4948}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51429.15}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486054}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 865--868
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100171}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4948
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p837
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024