Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 1091–1094
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51566.9688 (Mi phts4947) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP

Н. С. Потапович, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (533 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51566.9688
Аннотация: На основании проведенных исследований разработаны и созданы фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения (длины волн $\lambda\approx$ 1.0–1.3 мкм) на основе гетероструктур InGaAsP/InP с эпитаксиальным $p$–$n$-переходом. Определены технологические режимы, позволяющие получать методом жидкофазной эпитаксии высококачественные слои четверных твердых растворов InGaAsP, изопериодных подложкам фосфида индия в широком диапазоне составов.
Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, узкополосное излучение, InGaAsP, InP, гетероструктуры, жидкофазная эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-08-00986
Исследование выполнено при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ) в рамках научного проекта № 20-08-00986.
Поступила в редакцию: 26.05.2021
Исправленный вариант: 08.06.2021
Принята в печать: 08.06.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Потапович, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1091–1094
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PotNakKhv21}
\by Н.~С.~Потапович, М.~В.~Нахимович, В.~П.~Хвостиков
\paper Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 1091--1094
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4947}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51566.9688}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668681}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4947
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p1091
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024