Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 1086–1090
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51565.9679 (Mi phts4946) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, Ю. М. Задиранов, П. В. Покровский, А. А. Блохин, А. В. Андреева

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1804 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51565.9679
Аннотация: Проведены исследования методов текстурирования световыводящей поверхности ИК-светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с брегговскими отражателями. Разработаны методы жидкостного и плазмохимического травления твердого раствора для создания пиков (пирамид) различной формы высотой 0.2–1.5 мкм. Проведена оценка влияния методов текстурирования, а также конфигурации пиков на интенсивность электролюминесценции светодиодов. Достигнуто увеличение интенсивности электролюминесценции на 25%.
Ключевые слова: светодиод, текстурирование, методы травления, электролюминесценция.
Поступила в редакцию: 13.05.2021
Исправленный вариант: 31.05.2021
Принята в печать: 31.05.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, Ю. М. Задиранов, П. В. Покровский, А. А. Блохин, А. В. Андреева, “Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1086–1090
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalIliKal21}
\by А.~В.~Малевская, Н.~Д.~Ильинская, Н.~А.~Калюжный, Д.~А.~Малевский, Ю.~М.~Задиранов, П.~В.~Покровский, А.~А.~Блохин, А.~В.~Андреева
\paper Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 1086--1090
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4946}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51565.9679}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668680}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4946
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p1086
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024