|
Физика полупроводниковых приборов
Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
А. В. Бабичевa, Е. С. Колодезныйa, А. Г. Гладышевa, Д. В. Денисовb, Г. В. Вознюкc, М. И. Митрофановc, Д. А. Михайловc, Д. В. Чистяковc, Д. И. Курицынd, В. В. Дюделевc, С. О. Слипченкоc, А. В. Лютецкийc, В. П. Евтихиевc, Л. Я. Карачинскийace, И. И. Новиковace, С. В. Морозовd, Г. С. Соколовскийc, Н. А. Пихтинc, А. Ю. Егоровa a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
e ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследований кольцевых квантово-каскадных лазеров с выводом излучения через текстурированный слой, сформированный в слоях верхней обкладки волновода методом сверхвысоковакуумного ионно-лучевого травления. Исследование распределения интенсивности излучения в зоне дальнего поля показывает, что сформированные окна, содержащие текстурированный слой, позволили осуществить направленный поверхностный вывод излучения из кольцевого лазера. Вывод излучения осуществляется в диапазоне углов $\sim$(63–75)$^\circ$, отсчитанных от нормали к плоскости резонатора.
Ключевые слова:
сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия, кольцевой резонатор, текстурированный слой.
Поступила в редакцию: 19.04.2021 Исправленный вариант: 27.04.2021 Принята в печать: 27.04.2021
Образец цитирования:
А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Д. И. Курицын, В. В. Дюделев, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. В. Морозов, Г. С. Соколовский, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1081–1085; Semiconductors, 56:1 (2022), 1–4
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4945 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p1081
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 80 | PDF полного текста: | 29 |
|