Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 1077–1080
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51563.9697 (Mi phts4944) 		 
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs

А. А. Лазаренкоa, К. Ю. Шубинаa, Е. В. Никитинаab, Е. В. Пироговa, А. М. Мизеровa, М. С. Соболевa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (822 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51563.9697
Аннотация: Исследуется влияние быстрого термического отжига тройных твердых растворов GaAs$_{1-x}$N$_{x}$/GaAs на распределение атомов азота в кристаллической решетке. Образцы исследуются методами фотолюминесценции и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Из-за несоответствия размеров и электроотрицательности атомов азота и мышьяка, азот встраивается неравномерно в кристаллическую решетку GaAs. Показаны варианты расположения атомов азота в кристаллической решетке GaAs до и после быстрого термического отжига.
Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитксия, арсенид галлия, азот.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации FSRM-2020-0008
Работа поддержана Министерством образования и науки Российской Федерации (FSRM-2020-0008).
Поступила в редакцию: 08.06.2021
Исправленный вариант: 21.06.2021
Принята в печать: 21.06.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лазаренко, К. Ю. Шубина, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, “Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1077–1080
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LazShuNik21}
\by А.~А.~Лазаренко, К.~Ю.~Шубина, Е.~В.~Никитина, Е.~В.~Пирогов, А.~М.~Мизеров, М.~С.~Соболев
\paper Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 1077--1080
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4944}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51563.9697}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668678}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4944
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p1077
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024