Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 1049–1058
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51560.9706
(Mi phts4941)
 

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Химически осажденные пленки сульфида свинца, легированные кобальтом

Л. Н. Маскаеваab, Е. В. Мостовщиковаc, В. Ф. Марковab, В. И. Воронинc, А. В. Поздинa, И. О. Селянинd, А. И. Михайловаa

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
d Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация: В настоящей работе, являющейся продолжением исследований по легированию химически осажденных слоев PbS(I), обсуждается влияние ионов кобальта на их морфологические, структурные, оптические и фотоэлектрические свойства. Элементным энергодисперсионным анализом показано, что кобальт обнаруживается в пленках при концентрации его хлорида в реакционной смеси $\ge$ 0.04 моль/л. Полученные пленки PbS(I, Co) сохраняют кубическую $B$1 структуру (пр. гр. $Fm\bar{3}m$). Установлена тенденция повышения ширины запрещенной зоны пленок PbS(I, Co) от 0.57 до 0.75 эВ с ростом в них содержания наночастиц с 1 до $\sim$8% при 1.5-часовом осаждении и от 0.57 до 0.68 эВ – с 13 до $\sim$28% при 3-часовом процессе. На концентрационной зависимости вольтовой чувствительности пленок PbS(I, Co), осажденных в течение 1.5 ч, наблюдаются два максимума, соответствующие 1 и 4% содержанию в них наночастиц. При трехчасовом процессе синтеза отмечено резкое снижение фотоответа с увеличением содержания частиц нанодиапазона до $\sim$13–28% в слоях PbS(I, Co). Показано, что плотность фототока снижается с увеличением содержания наночастиц в пленках в ряду PbS(Сo)$\to$PbS$\to$PbS(I, Сo)$\to$PbS(I).
Ключевые слова: сульфид свинца, химическое осаждение, легирование кобальтом, морфология пленок, структурные свойства, ширина запрещенной зоны, вольтовая и токовая фоточувствительность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.А03.21.0006
АААА-А18-118020190112-8
АААА-А18-118020290104-2
Российский фонд фундаментальных исследований 20-48-660041р_а
18-29-11051мк
Работа выполнена при финансовой поддержке программы 211 Правительства Российской Федерации № 02.А03.21.0006, грантов РФФИ 20-48-660041р_а и 18-29-11051мк в рамках государственного задания Министерства образования и науки (тема “Поток” № АААА-А18-118020190112-8 и “Спин” № АААА-А18-118020290104-2).
Поступила в редакцию: 02.07.2021
Исправленный вариант: 16.07.2021
Принята в печать: 16.07.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. Ф. Марков, В. И. Воронин, А. В. Поздин, И. О. Селянин, А. И. Михайлова, “Химически осажденные пленки сульфида свинца, легированные кобальтом”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1049–1058
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasMosMar21}
\by Л.~Н.~Маскаева, Е.~В.~Мостовщикова, В.~Ф.~Марков, В.~И.~Воронин, А.~В.~Поздин, И.~О.~Селянин, А.~И.~Михайлова
\paper Химически осажденные пленки сульфида свинца, легированные кобальтом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 1049--1058
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4941}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51560.9706}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668675}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4941
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p1049
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:72
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024