Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO$_{2}$ разной толщины

Изучены состав, морфология, электронная структура нанопленки SiO$_{2}$ разной толщины, созданной термическим окислением на поверхности Si(111). Показано, что до толщины 30–40 $\mathring{\mathrm{A}}$ пленка имеет островковый характер. При $d\ge$ 60$\mathring{\mathrm{A}}$ формируется однородная сплошная пленка SiO$_{2}$, стехиометрическая шероховатость поверхности которой не превышает 1.5–2 нм. Независимо от толщины пленок SiO$_{2}$ заметная взаимодиффузия атомов на границе SiO$_{2}$–Si не наблюдается. Определены закономерности изменения состава, степень покрытия поверхности, энергии плазменных колебаний при изменении толщины пленок SiO$_{2}$/Si(111) в пределах от 20 до 120 $\mathring{\mathrm{A}}$.