Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 1021–1026
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51555.9707 (Mi phts4936) 		 
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением

П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, Abduljabbar Riyad Khuderb, Д. Л. Голощаповa, М. А. Хараджидиa, И. Н. Арсентьевc, И. А. Касаткинd

a Воронежский государственный университет
b Ministry of Education/General Directorate of Education in Baghdad, The third Karkh Governorate, Iraq
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (1232 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51555.9707
Аннотация: Сообщается о влиянии режимов травления и их комбинации на дизайн, микроструктурные и оптические свойства податливых подложек на основе пористого кремния. На основе данных комплекса микроструктурных и спектроскопических методов анализа показано, что при неизменных параметрах кристаллической решетки величина остаточных напряжений, размер кристаллитов, объем кристаллической фракции, а также отражательная способность и энергия прямых переходов в пористом слое кремния зависят от комбинации режимов травления, однако не всегда коррелируют с величиной пористости слоя, рассчитанной из анализа SEM изображений.
Ключевые слова: Si, пористый слой, податливая подложка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-10007
Министерство образования и науки Российской Федерации ФЗГУ-2020-0036
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 19-72-10007). П.В. Середин выполнил свою часть исследования (рамановские исследования) при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (грант № ФЗГУ-2020-0036) в рамках государственного задания высшим учебным заведениям.
Поступила в редакцию: 05.07.2021
Исправленный вариант: 12.07.2021
Принята в печать: 12.07.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, А. С. Леньшин, Abduljabbar Riyad Khuder, Д. Л. Голощапов, М. А. Хараджиди, И. Н. Арсентьев, И. А. Касаткин, “Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1021–1026
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerLenKhu21}
\by П.~В.~Середин, А.~С.~Леньшин, Abduljabbar~Riyad~Khuder, Д.~Л.~Голощапов, М.~А.~Хараджиди, И.~Н.~Арсентьев, И.~А.~Касаткин
\paper Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 1021--1026
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4936}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51555.9707}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668670}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4936
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p1021
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:79
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024