Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 963–968
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51547.43 (Mi phts4928) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Нетривиальная зависимость спектральных характеристик экситонов в квантовых ямах от мощности резонансного оптического возбуждения

Д. Ф. Мурсалимовa, А. В. Михайловa, А. С. Курдюбовa, А. В. Трифоновab, И. В. Игнатьевa

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Технический университет Дортмунда, 44221 Дортмунд, Германия
PDF полного текста (361 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51547.43
Аннотация: В гетероструктуре с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 14 нм экспериментально исследованы основные спектральные характеристики экситонных линий – энергия экситонного резонанса, а также его радиационное и нерадиационное уширения. Особое внимание уделено нерадиационному уширению как наиболее чувствительному к концентрации свободных носителей и долгоживущих экситонов. Наблюдается сублинейный рост уширения резонансов тяжeлого и лeгкого экситонов с ростом мощности возбуждения в лeгкий экситон. Развита простая модель, позволяющая воспроизвести наблюдаемую зависимость.
Ключевые слова: экситон, квантовая яма, нерадиационное уширение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Санкт-Петербургский государственный университет 73031758
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00576a
20-32-70131
Авторы благодарят СПбГУ, грант № 73031758, и Российский фонд фундаментальных исследований, гранты № 19-02-00576a, № 20-32-70131, за финансовую поддержку. Авторы также благодарят Ресурсный центр “Нанофотоника” СПбГУ за образец для исследований.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Ф. Мурсалимов, А. В. Михайлов, А. С. Курдюбов, А. В. Трифонов, И. В. Игнатьев, “Нетривиальная зависимость спектральных характеристик экситонов в квантовых ямах от мощности резонансного оптического возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 963–968
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MurMikKur21}
\by Д.~Ф.~Мурсалимов, А.~В.~Михайлов, А.~С.~Курдюбов, А.~В.~Трифонов, И.~В.~Игнатьев
\paper Нетривиальная зависимость спектральных характеристик экситонов в квантовых ямах от мощности резонансного оптического возбуждения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 963--968
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4928}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51547.43}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668662}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4928
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p963
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024