Исследование кинетики гибели неравновесных носителей заряда в четверных соединениях меди Cu$_{2-\delta}$NiSnS$_{4}$ (0 $\le\delta\le$ 0.2)

Методом твердофазного синтеза из элементных Cu, Ni, Sn и S получены образцы Cu$_{2-\delta}$NiSnS$_{4}$ (0 $\le\delta\le$ 0.2). Уточнены параметры их кристаллической решетки. Впервые бесконтактным методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости оценены времена жизни фотогенерированных носителей заряда в Cu$_{2-\delta}$NiSnS$_{4}$. Времена оказались $\tau\approx$ 7 нс, что сопоставимо с литературными данными для кестеритов CZTS. При этом в кинетике гибели фотогенерированных носителей заряда наблюдается преобладание процессов бимолекулярной рекомбинации над процессами захвата.