Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1149–1155
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51698.13 (Mi phts4909) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Атомистическое моделирование решеточных свойств SnSe

А. Н. Филановичa, Ю. В. Лысогорскийb, А. А. Повзнерa

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b ICAMS, Ruhr-Universitat Bochum, 44801 Bochum, Germany
PDF полного текста (686 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51698.13
Аннотация: Выполнен ряд ab initio расчетов энергии основного состояния как функции объема, упругих свойств и фононных спектров селенида олова в его различных кристаллических модификациях. На основе полученного массива данных построен потенциал межатомного взаимодействия SnSe с использованием метода атомного кластерного разложения (atomic cluster expansion – ACE). С использованием потенциала исследуются температурные зависимости тепловых и упругих свойств SnSe в рамках квазигармонического приближения.
Ключевые слова: термоэлектрики, решеточный ангармонизм, тепловые свойства, упругие свойства, селенид олова, атомистическое моделирование, потенциал межатомного взаимодействия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 2291-21
FEUZ-2020-0020
German Academic Exchange Service (DAAD) 57515328
Работа выполнена в рамках проекта, финансируемого Министерством науки и высшего образования Российской Федерации (паспорт проекта № 2291-21) и германской службой академических обменов DAAD (№ 57515328) по программе “Михаил Ломоносов”, анализ и интерпретация данных выполнялись при поддержке финансирования в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации № FEUZ-2020-0020.
Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 28.08.2021
Принята в печать: 28.08.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Филанович, Ю. В. Лысогорский, А. А. Повзнер, “Атомистическое моделирование решеточных свойств SnSe”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1149–1155
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FilLysPov21}
\by А.~Н.~Филанович, Ю.~В.~Лысогорский, А.~А.~Повзнер
\paper Атомистическое моделирование решеточных свойств SnSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 1149--1155
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4909}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51698.13}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46667383}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4909
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1149
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:109
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024