Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1132–1137
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51695.10
(Mi phts4906)
 

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Анализ механизмов уплотнения термоэлектрических порошков скуттерудитов и сплавов Гейслера в процессе активированного полем спекания

А. С. Тукмаковаa, Н. И. Хахилевa, Д. Б. Щегловаa, В. Д. Насоновa, А. П. Новицкийb, И. А. Сергиенкоb, А. В. Новотельноваa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
Аннотация: Для расчета параметров уплотнения термоэлектрических порошков скуттерудитов на основе CoSb$_{3}$ и сплавов Гейслера на основе Fe$_{2}$VAl был проведен анализ скорости усадки порошков, основанный на модели вязкотекучей деформации пористого тела. Показано, что этот подход, ранее использовавшийся для порошков металлов и керамик, также применим для термоэлектрических порошков. Получены значения чувствительности материала к скорости деформации, на основе которых определены соответствующие механизмы уплотнения порошков. Для скуттерудитов было выявлено преобладание механизма ползучести, контролируемого скольжением дислокаций, с дальнейшим переходом к механизмам проскальзывания зерен и диффузионной ползучести. Для образцов сплавов Гейслера основным механизмом являлась ползучесть за счет проскальзывания зерен, переходящая к диффузионной ползучести.
Ключевые слова: активированное полем спекание, численное моделирование, усадка порошка, скуттерудиты, сплавы Гейслера.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-10282
ИТМО
Экспериментальная часть исследования (спекание скуттерудитов) выполнена за счет гранта Российского научного фонда (проект № 19-79-10282). Моделирование выполнено при финансовой поддержке Университета ИТМО.
Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 28.08.2021
Принята в печать: 28.08.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Тукмакова, Н. И. Хахилев, Д. Б. Щеглова, В. Д. Насонов, А. П. Новицкий, И. А. Сергиенко, А. В. Новотельнова, “Анализ механизмов уплотнения термоэлектрических порошков скуттерудитов и сплавов Гейслера в процессе активированного полем спекания”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1132–1137
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TukKhaShc21}
\by А.~С.~Тукмакова, Н.~И.~Хахилев, Д.~Б.~Щеглова, В.~Д.~Насонов, А.~П.~Новицкий, И.~А.~Сергиенко, А.~В.~Новотельнова
\paper Анализ механизмов уплотнения термоэлектрических порошков скуттерудитов и сплавов Гейслера в процессе активированного полем спекания
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 1132--1137
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4906}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51695.10}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46667380}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4906
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1132
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025