Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1128–1131
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51694.20
(Mi phts4905)
 

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Дифференциальная туннельная проводимость в многокомпонентных твердых растворах Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y-z}$Se$_{y}$S$_{z}$

Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Дифференциальная туннельная проводимость межслоевой поверхности Ван-дер-Ваальса (0001) исследована в многокомпонентных твердых растворах $n$-Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y-z}$Se$_{y}$S$_{z}$ при $x$ = 0.2, $y=z$ = 0.09, оптимизированных для температур вблизи комнатной с высоким фактором мощности, и при $x$ = 0.4, $y$ = 0, $z$ = 0.06 с оптимальными термоэлектрическими свойствами для низких температур и высоким коэффициентом Зеебека. Показано, что интенсивность флуктуаций энергии точки Дирака $\Delta E_{\mathrm{D}}$, смещение потолка валентной зоны и наличие поверхностных уровней в запрещенной зоне, образованных примесными дефектами, определяются составом и термоэлектрическими свойствами твердых растворов. Вклад поверхностных состояний фермионов Дирака возрастает в твердом растворе $n$-Bi$_{1.8}$Sb$_{0.2}$Te$_{2.82}$Se$_{0.09}$S$_{0.09}$ с высоким параметром мощности за счет значительного уменьшения поверхностной концентрации вблизи точки зарядовой нейтральности и роста подвижности фермионов.
Ключевые слова: теллурид висмута, твердые растворы, топологический изолятор, дифференциальная туннельная проводимость, коэффициент Зеебека.
Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 28.08.2021
Принята в печать: 28.08.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, “Дифференциальная туннельная проводимость в многокомпонентных твердых растворах Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y-z}$Se$_{y}$S$_{z}$”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1128–1131
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukMakUso21}
\by Л.~Н.~Лукьянова, И.~В.~Макаренко, О.~А.~Усов
\paper Дифференциальная туннельная проводимость в многокомпонентных твердых растворах Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y-z}$Se$_{y}$S$_{z}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 1128--1131
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4905}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51694.20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46667379}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4905
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1128
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:113
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024