|
XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)
Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута
О. А. Усов, Л. Н. Лукьянова, М. П. Волков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
В анизотропных слоистых пленках многокомпонентного твердого раствора $n$-Bi$_{1.92}$In$_{0.02}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$ в сильных магнитных полях от 2 до 14 Tл при низких температурах проведено исследование квантовых осцилляций магнетосопротивления, связанных с поверхностными состояниями электронов в 3D топологических изоляторах. Из анализа спектрального распределения амплитуд квантовых осцилляций магнетосопротивления определены основные параметры поверхностных состояний фермионов Дирака. Проведено сравнение результатов с данными, полученными методом сканирующей туннельной спектроскопии. Показано, что высокая поверхностная концентрация определяет вклад поверхностных состояний фермионов Дирака в термоэлектрические свойства пленок $n$-Bi$_{1.92}$In$_{0.02}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$.
Ключевые слова:
теллурид висмута, пленки, твердые растворы, топологический изолятор, осцилляции магнетосопротивления.
Поступила в редакцию: 12.08.2021 Исправленный вариант: 28.08.2021 Принята в печать: 28.08.2021
Образец цитирования:
О. А. Усов, Л. Н. Лукьянова, М. П. Волков, “Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1119–1123
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4903 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1119
|
|