Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1119–1123
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51692.08
(Mi phts4903)
 

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута

О. А. Усов, Л. Н. Лукьянова, М. П. Волков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: В анизотропных слоистых пленках многокомпонентного твердого раствора $n$-Bi$_{1.92}$In$_{0.02}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$ в сильных магнитных полях от 2 до 14 Tл при низких температурах проведено исследование квантовых осцилляций магнетосопротивления, связанных с поверхностными состояниями электронов в 3D топологических изоляторах. Из анализа спектрального распределения амплитуд квантовых осцилляций магнетосопротивления определены основные параметры поверхностных состояний фермионов Дирака. Проведено сравнение результатов с данными, полученными методом сканирующей туннельной спектроскопии. Показано, что высокая поверхностная концентрация определяет вклад поверхностных состояний фермионов Дирака в термоэлектрические свойства пленок $n$-Bi$_{1.92}$In$_{0.02}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$.
Ключевые слова: теллурид висмута, пленки, твердые растворы, топологический изолятор, осцилляции магнетосопротивления.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-08-00464
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 20-08-00464).
Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 28.08.2021
Принята в печать: 28.08.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. А. Усов, Л. Н. Лукьянова, М. П. Волков, “Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1119–1123
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UsoLukVol21}
\by О.~А.~Усов, Л.~Н.~Лукьянова, М.~П.~Волков
\paper Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 1119--1123
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4903}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51692.08}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46667377}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4903
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1119
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025