Исследование фазового состава интерфейсного слоя, полученного при горячем прессовании Cr и Si

Исследована возможность синтеза слоев среднетемпературного термоэлектрика CrSi$_{2}$ методом горячего прессования исходных компонентов (Cr и Si). Методом рентгеновской дифрактометрии исследован фазовый состав образцов, полученных горячим прессованием Cr и Si до и после отжига в области границы их соприкосновения. Показано, что при определенных условиях на границе раздела Cr и Si возможен низкотемпературный синтез слоя CrSi$_{2}$ толщиной от 50 до 300 мкм. Синтез происходит при температуре, значительно ниже приведенной в диаграмме состояния, что открывает новые технологические возможности для получения соединения CrSi$_{2}$.