Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пьезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs

Модель анизотропного тетрагонального двойного акцептора в кристаллах типа GaAs, анизотропия которого обусловлена эффектом Яна$-$Теллера, а исходное основное состояние имеет $\Gamma_{8}$-симметрию, обобщена с учетом смешивания ян-теллеровской $E$-модой колебаний состояний различных типов. Анализ выполнен в рамках теории возмущений, предполагающей относительную малость подмешивания возбужденных состояний к основному. Рассмотрены особенности формы нижнего листа адиабатического потенциала центра и пьезоспектроскопические свойства фотолюминесценции, обусловленной захватом электронов из зоны проводимости на нейтральный центр. Показано, что возникновение барьеров между состояниями с эквивалентными конфигурациями нейтрального акцептора определяется подмешиванием состояний типа $\Gamma_{6}$ и $\Gamma_{7}$, а увеличение по сравнению с 4 поляризационного отношения фотолюминесценции относительно оси его внутреннего искажения связано с подмешиванием состояний типа $\Gamma_{7}$. Рассмотренная модель объясняет результаты экспериментов для акцепторов Ag$^{0}_{\text{Ga}}$, Au$^{0}_{\text{Ga}}$ в GaAs и позволяет заключить, что пространственное строение и структура основного состояния этих центров и акцептора Сu$^{0}_{\text{Ga}}$ подобны. Количественные отличия пьезоспектроскопических свойств Ag$^{0}_{\text{Ga}}$ и Au$^{0}_{\text{Ga}}$ от свойств Cu$^{0}_{\text{Ga}}$ вызваны большей величиной энергии ян-теллеровской стабилизации и большим смешиванием исходного состояния с $\Gamma_{7}$-состоянием.