Фоточувствительность барьеров Шоттки Au$-$GaAs с микрорельефной поверхностью (область собственного поглощения света)

Исследовано влияние характера микрорельефа поверхности GaAs, созданного способом химического анизотропного травления, и предварительной обработки поверхности, предшествующей напылению слоя металла, на величину и спектральные зависимости фоточувствительности барьеров Шоттки Au$-$GaAs в области собственного поглощения света. Определен оптимальный характер микрорельефа. Проведен анализ, позволивший оценить вклад различных факторов в формирование фоточувствительности структур с микрорельефной поверхностью — оптических (увеличение пропускания света в полупроводник за счет многократных отражений на рельефе фронтальной поверхности и уменьшения толщины пленки Au) и изменения рекомбинационных свойств границы раздела Au$-$GaAs.