Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12, страницы 2186–2190 (Mi phts4120)  

О природе $K$-центра в кремнии

Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко
Аннотация: Методами емкостной спектроскопии исследована зависимость скорости введения $A$- и $K$-центров в $p$-базе кремниевых диодов, облученных электронами с энергией 900 кэВ, от электрическогоe поля в области объемного заряда. Показано, что электрическое поле увеличивает скорость введения $A$- и $K$-центров. Исследована зависимость скорости введения $K$-центров от энергии электронов в интервале 300$-$900 кэВ. Эта зависимость совпадает с измеренными ранее энергетическими зависимостями скоростей введения $A$-центров и комплексов межузельный-узельный углерод. На основании анализа экспериментальных данных показано, что $K$-центр содержит помимо кислорода и углерода одну вакансию.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко, “О природе $K$-центра в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2186–2190
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VitLom90}
\by Л.~С.~Берман, Н.~А.~Витовский, В.~Н.~Ломасов, В.~Н.~Ткаченко
\paper О природе $K$-центра в~кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 12
\pages 2186--2190
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4120}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4120
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i12/p2186
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024