|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12, страницы 2186–2190
(Mi phts4120)
|
|
|
|
О природе $K$-центра в кремнии
Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко
Аннотация:
Методами емкостной спектроскопии исследована зависимость
скорости введения $A$- и $K$-центров в $p$-базе кремниевых диодов,
облученных электронами с энергией 900 кэВ, от электрическогоe поля в области
объемного заряда. Показано, что электрическое поле увеличивает скорость
введения $A$- и $K$-центров. Исследована зависимость скорости
введения $K$-центров от энергии электронов в интервале 300$-$900 кэВ.
Эта зависимость совпадает с измеренными ранее энергетическими зависимостями
скоростей введения $A$-центров и комплексов межузельный-узельный углерод.
На основании анализа экспериментальных данных показано, что
$K$-центр содержит помимо кислорода и углерода одну вакансию.
Образец цитирования:
Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко, “О природе $K$-центра в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2186–2190
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4120 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i12/p2186
|
|