|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1689–1691
(Mi phts4018)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах
Si−PtaSib в результате воздействия импульсной фотонной обработки
С. С. Глебов, В. В. Егоров, Ю. А. Капустин, Б. М. Колокольников, А. А. Свешников
Образец цитирования:
С. С. Глебов, В. В. Егоров, Ю. А. Капустин, Б. М. Колокольников, А. А. Свешников, “Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах
Si−PtaSib в результате воздействия импульсной фотонной обработки”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1689–1691
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4018 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i9/p1689
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 56 | PDF полного текста: | 26 |
|