|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 2, страницы 361–363
(Mi phts3731)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании
в (Al, Ga)As−GaAs-гетероструктурах с двойным барьером
Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров
Образец цитирования:
Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании
в (Al, Ga)As−GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 361–363
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3731 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i2/p361
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 100 | PDF полного текста: | 25 |
|