|
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1214–1219
(Mi phts3438)
|
|
|
|
Влияние перезарядки мелких примесей на дефокусировку лазерного луча
в кристаллах кремния
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, Э. Скайстис
Аннотация:
Представлены результаты теоретического и экспериментального
исследования влияния перезарядки мелких примесных
центров в кристаллах кремния на светонаведенное изменение
показателя преломления. Показано, что поляризуемость этих
центров на частотах, близких к краю фундаментального поглощения, равна
${\alpha_{n}(E)\simeq 4\cdot10^{-22}\,\text{см}^{2}}$.
Это необходимо учитывать при оценке светонаведенного
изменения показателя преломления в кристаллах кремния.
Образец цитирования:
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, Э. Скайстис, “Влияние перезарядки мелких примесей на дефокусировку лазерного луча
в кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1214–1219
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3438 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i7/p1214
|
|