Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1207–1213 (Mi phts3437)  

Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров с деформированным активным слоем

Е. А. Аврутин, М. А. Алексеев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка
Аннотация: Рассчитаны спектры оптического усиления одноосно деформированных полупроводников типа GaAs. Исследовано влияние деформации на поляризационную стабильность РОС гетеролазеров на основе InGaAsP/InP. Найдены области поляризационной стабильности в случае одноосного сжатия и показано, что они очень чувствительны к величине порогов генерации $TM$- и $TE$-мод резонатора.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Аврутин, М. А. Алексеев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, “Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров с деформированным активным слоем”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1207–1213
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleKucLaz89}
\by Е.~А.~Аврутин, М.~А.~Алексеев, В.~И.~Кучинский, А.~С.~Лазутка
\paper Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров
с~деформированным активным слоем
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 7
\pages 1207--1213
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3437}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3437
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i7/p1207
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024