Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1203–1206 (Mi phts3436)  

Электрофизические свойства сверхрешеток PbTe$-$Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

M. В. Апатская, Ф. Ф. Сизов, В. В. Тетеркин, Н. Н. Ушанкина
Аннотация: В сверхрешетках PbTe$-$Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te исследованы угловые зависимости поперечного магнитосопротивления, вольтамперные характеристики, дифференциальная емкость и дифференциальное сопротивление. Получены доказательства двумерности электронного газа. Найдено, что дифференциальная емкость сверхрешеток значительно меньше емкости диодных структур.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: M. В. Апатская, Ф. Ф. Сизов, В. В. Тетеркин, Н. Н. Ушанкина, “Электрофизические свойства сверхрешеток PbTe$-$Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1203–1206
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by M.~В.~Апатская, Ф.~Ф.~Сизов, В.~В.~Тетеркин, Н.~Н.~Ушанкина
\paper Электрофизические свойства сверхрешеток
PbTe$-$Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 7
\pages 1203--1206
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3436}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3436
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i7/p1203
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024