Эффективная температура и релаксация энергии $2D$-электронов $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs

Методом сопоставления вольтамперных и вольттемпературных характеристик проводимости измерена зависимость электронной температуры $T_{e}$ от электрического поля $E$ и установлена функциональная связь мощности потерь $P$ электронной подсистемы с электронной температурой. Исследовались селективно легированные гетероструктуры $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs с ${n_{s}=(0.48\div2.7)\cdot10^{12}\,\text{см}^{-2}}$ и ${\mu=(0.80\div3.18)\cdot10^{5}\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$ в температурном диапазоне ${T=4.2\div24}$ K и ${E\leqslant30}$ В/см. В области слабого разогрева ${T_{e}\leqslant20}$ K, ${E\leqslant10}$ В/см, ${T_{e}\sim E^{2}}$, ${P\sim T_{e}^{2}}$, что указывает на акустический механизм релаксации. В области сильного разогрева ${T_{e}\sim E^{1}}$, ${P\sim T^{3}_{e}}$ и основную роль играют оптические фононы. Выполнены измерения разогревных эффектов в магнитном поле.