Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1193–1198 (Mi phts3434)  

Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках

Н. С. Аверкиев, Е. Д. Белорусец, Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане
Аннотация: В рамках модели потенциала нулевого радиуса вариационным методом рассчитаны энергии связи и мультиплетная структура многозарядных глубоких центров в полупроводниках. Найдено, что эффективная энергия, определяющая вид волновой функции центра, представляет собой полусумму первого и второго потенциалов ионизации. Предложен критерий для отбора многозарядных центров, которые могут быть адекватно описаны в приближении потенциала нулевого радиуса.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Аверкиев, Е. Д. Белорусец, Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане, “Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1193–1198
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AveImaReb89}
\by Н.~С.~Аверкиев, Е.~Д.~Белорусец, Э.~З.~Имамов, Ю.~Т.~Ребане
\paper Энергетический спектр многозарядных примесных центров в~кубических
полупроводниках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 7
\pages 1193--1198
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3434}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3434
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i7/p1193
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024